序號
| 貨物名稱
| 招標(biāo)技術(shù)要求
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1
| CMP化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)
| 1、概述：該化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)主要用于Si晶圓上氧化物介質(zhì)層的平坦化加工。 通過更換拋光頭可兼容4英寸&6英寸晶圓。
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2、主要功能
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▲2.1系統(tǒng)功能：手動(dòng)上下片，程序自動(dòng)進(jìn)行拋光，配有終點(diǎn)監(jiān)測裝置。
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2.2樣品尺寸：通過更換拋光頭可兼容4英寸&6英寸晶圓,配置4和6英寸各兩個(gè)拋光頭；
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▲2.3拋光數(shù)據(jù)監(jiān)測：具有摩擦力監(jiān)測功能
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▲2.4配備紅外溫度計(jì)實(shí)時(shí)監(jiān)測拋光過程中拋光墊表面溫度。
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2.5設(shè)備配置齊全的安全聯(lián)鎖功能
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2.6系統(tǒng)軟件：可實(shí)現(xiàn)設(shè)備運(yùn)行的實(shí)時(shí)過程監(jiān)視，具備數(shù)據(jù)記錄、防止誤操作等功能，可快速地進(jìn)行工藝配方編輯、修改、保存等.
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3技術(shù)規(guī)格要求
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3.1單工位設(shè)備，由單拋光盤和單拋光頭構(gòu)成
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▲3.2拋光盤直徑≥16inch(406mm)
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▲3.3拋光盤快速更換式設(shè)計(jì)，更換拋光盤便捷方便
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3.4拋光盤底座帶有冷卻水通道系統(tǒng)
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3.5拋光盤轉(zhuǎn)速范圍：30-200rpm
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▲3.6拋光頭wafer加壓方式：氣囊加壓，帶有背壓功能
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3.7wafer壓力控制范圍：70-500g/cm2
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3.8保持環(huán)壓力控制方式：氣缸加壓控制
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3.9保持環(huán)壓力控制范圍：70-700g/cm2
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3.10拋光頭轉(zhuǎn)速范圍：30-200rpm
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3.11拋光頭擺動(dòng)幅度：±10mm
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3.12拋光頭更換安裝方便快捷，通過更換不同規(guī)格的拋光頭，可兼容4、6英寸晶圓的拋光。
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▲3.13配有拋光液供應(yīng)系統(tǒng)：3個(gè)可調(diào)流量蠕動(dòng)泵供液，3路獨(dú)立的拋光液通道，滴液位置可調(diào)
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3.14配有拋光墊修整盤：金剛石修整丸片
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▲3.15修整盤控制方式：原地旋轉(zhuǎn)式，隨拋光頭往復(fù)運(yùn)動(dòng)
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3.16修整盤轉(zhuǎn)速：30-160rpm
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3.17修整盤壓力：3-10kgf
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▲3.18配置摩擦力&溫度終點(diǎn)監(jiān)控系統(tǒng)：含專用監(jiān)測軟件，帶有End point detection功能
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▲3.19控制系統(tǒng)：PC工控機(jī)控制，觸摸屏操作，可存儲(chǔ)20個(gè)加工程序
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▲3.20加工程序分段控制：加工程序最多可設(shè)6個(gè)不同加工階段，各階段的轉(zhuǎn)速、壓力等均可獨(dú)立設(shè)置。
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3.21晶圓拋光晶圓內(nèi)不均勻性（WIWNU）≤5%（1sigma，去邊5mm）。
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3.22晶圓拋光晶圓間不均勻性（WTWNU）≤5%（1sigma，去邊5mm）。
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4.1 拋光后樣品總厚度偏差（TTV）：≤±4μm@6英寸
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4.2拋光后粗糙度Ra≤0.8nm@ SiO2；
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2
| 半自動(dòng)雙軸減薄機(jī)
| 1設(shè)備用途及組成
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▲1.1提供4&6英寸Si晶圓減薄功能，雙砂輪軸結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)粗磨+精磨功能
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▲1.2設(shè)備組成: ：設(shè)備主要由雙砂輪軸系統(tǒng)﹑往復(fù)移動(dòng)式吸盤軸系統(tǒng)﹑砂輪進(jìn)給系統(tǒng)﹑自動(dòng)測厚系統(tǒng)﹑主軸冷卻水系統(tǒng)﹑真空系統(tǒng)組成。
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2.主要技術(shù)指標(biāo)
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2.1加工晶圓尺寸：兼容直徑4&6英寸晶圓
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▲2.2 砂輪軸數(shù)量：2個(gè)，可分別安裝粗磨砂輪、精磨砂輪，無需更換砂輪即可實(shí)現(xiàn)晶圓的粗磨+精磨
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▲2.3砂輪主軸轉(zhuǎn)速可調(diào)，最大轉(zhuǎn)速≥4000rpm
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2.4吸盤軸轉(zhuǎn)速可調(diào)，最大轉(zhuǎn)速≥400rpm
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▲2.5 吸盤移動(dòng)方式：LM導(dǎo)軌和滾珠絲桿組合，左右移動(dòng)式
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2.6 Z軸行程≥130mm
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▲2.7 砂輪進(jìn)給系統(tǒng)數(shù)量：2個(gè)，控制方式：LM導(dǎo)軌和滾珠絲杠組合
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▲2.8 最小進(jìn)給速率≤0.1um/s
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▲2.9 需配置自動(dòng)測厚系統(tǒng)，在線測量晶圓厚度，校正補(bǔ)償減薄尺寸精度。
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▲2.10 厚度在線測量量程0-4800um
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▲2.11 厚度在線測量分辨率 0.1um
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▲2.12 厚度在線測量重復(fù)精度 ±0.001mm
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2.13 界面操作方式：觸屏
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▲2.14 操作系統(tǒng)：windows 7操作系統(tǒng)，工控機(jī)控制
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2.15 權(quán)限設(shè)置：提供操作權(quán)限分級管理
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2.16 支持歷史加工數(shù)據(jù)記錄、存儲(chǔ)及導(dǎo)出功能，配有USB接口
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2.17 冷卻系統(tǒng)：帶主軸冷卻系統(tǒng)，配置冷水機(jī)
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2.18 真空系統(tǒng)：自配真空系統(tǒng)
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▲2.19 程序設(shè)計(jì)：三段式加工程序，各階段砂輪軸轉(zhuǎn)速、吸盤軸轉(zhuǎn)速、進(jìn)給速度均可調(diào)
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▲2.20 具備砂輪超負(fù)載等待自適應(yīng)功能
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2.21 單片晶圓內(nèi)的厚度偏差TTV ≤ 3um（測量點(diǎn)為wafer邊緣往內(nèi)10mm）
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2.22碎片率 ≤ 3‰
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2.23 Ra≤
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3
| CMP后清洗機(jī)
| 1、概述：設(shè)備為適用于CMP后單片晶圓清洗的干進(jìn)（或濕進(jìn)）干出設(shè)備，手動(dòng)上下片；設(shè)備為獨(dú)立成熟產(chǎn)品，并已在國內(nèi)外大學(xué)或科研機(jī)構(gòu)有同行應(yīng)用
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2、主要功能及規(guī)格
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▲2.1設(shè)備功能：具有雙面PVA刷刷洗，兆聲清洗，N2吹干，高速甩干功能。
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▲2.2樣品尺寸：通過更換洽具具備4、6英寸晶圓清洗能力，配備兩套4,6寸治具；后續(xù)通過洽具的升級具備擴(kuò)展到max12英寸晶圓清洗的能力。
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▲2.3設(shè)備材質(zhì)要求：內(nèi)腔體材質(zhì)為優(yōu)質(zhì)聚四氟乙烯（PTFE）
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▲2.4設(shè)備結(jié)構(gòu)：1個(gè)腔體，包含雙面PVA刷刷洗、兆聲清洗、N2吹氣、高速甩干等機(jī)構(gòu)，集成度高。
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2.5清洗液&DIW供給：噴嘴；流量可調(diào)
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▲2.6雙面刷洗機(jī)構(gòu)：PVA刷子，數(shù)量：2個(gè)
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▲2.7刷洗方式：夾住晶圓實(shí)現(xiàn)晶圓雙面同時(shí)刷洗。
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2.7刷子尺寸：L*ID*OD = 170*31*70 mm，更換方便快捷
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2.8刷子位置間隙調(diào)整：手動(dòng)調(diào)整-10mm~2mm
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2.9刷子轉(zhuǎn)速：max200rpm
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▲2.10配有兆聲清洗，DIW漂洗
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▲2.11干燥方式為N2吹干+高速甩干：甩干轉(zhuǎn)速max2000rpm
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2.12控制系統(tǒng)：PLC控制系統(tǒng)+觸摸屏
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